Title: ITO FET Sensor for Detection of Chloride Ions (Cl-)
Abstract: 인듐 주석 산화물(Indium tin oxide, ITO)을 이용하여 전계효과 트랜지스터(field-effect transistor, FET)를 제작하였으며, 제작한 FET를 이용하여 염소 이온(Cl-) 검출이 가능한 이온 감응 전계효과 트랜지스터(ion sensitive field-effect transistor, ISFET) 센서를 제작하였다. 고감도 이온 센서를 제작하기 위하여 ITO 박막은 아르곤(Ar) 가스 대비 산소(O₂) 가스 비율이 20 : 1 조건에서 스퍼터를 이용하여 ITO 박막을 증착하였다. 염소 이온 검출을 위한 이온 감응막(ion selective membrane, ISM)은 ITO-ISFET 게이트 채널 표면에 도포하였으며 염소 이온 검출은 ITO-ISFET의 FET 특성곡선 평가를 통하여 확인하였다. ITO-ISFET 센서 감도는 염소 이온 1 uM에서 100 mM의 농도 범위에서 69.53 mV/dec의 감도를 나타내었다. 또한, 브롬화칼륨(Kbr), 질산칼륨(KNO₃), 황산칼륨(K₂SO₄)의 간섭이온이 포함되어 있는 버퍼 용액에서 ITO-ISFET 센서는 염소 이온을 검출하였으며 염소 이온 농도가 실시간으로 변하는 조건에서도 ITO-ISFET 센서는 염소 이온 농도를 검출하였다.
Publication Year: 2022
Publication Date: 2022-11-30
Language: ko
Type: article
Indexed In: ['crossref']
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