Title: Effect of La and Co-doping on microstructure and electrical properties of Bi FeO3 thin films
Abstract: 3+和公司3+被用来调节微观结构和 BiFeO 的电的性质 3 ( BFO )薄电影,并且双性人 1x La x Fe 0.90 公司 0.10 O 3 变瘦电影在 SrRuO 上被种 3 -buffered 由收音机 fr 的磅涂的硅底层多晶的结构与(110 ) 取向在薄电影被显示出,并且他们的抵抗力戏剧性地作为 La 增加 3+ 内容增加。他们的绝缘的常数增加,并且绝缘的损失与增加 La 减少 3+ 内容。另外,他们的铁电体和疲劳性质与升起的 La 被提高 3+ 内容。有 x 的薄电影?=? 0.03 有最佳电的性质(例如,残余的极化 2P r ?~?175.6?C/cm 2 ,强制的地 2E c ?~?699.5?kV/mm,电介质常数 r ?~?257 并且黝黑?~? 0.038 ),和好疲劳行为。这些电影的迫切分析被进行鉴别缺点在电导率,和两个跳跃电子期间打字,控告单人赛的氧空缺不管 La 为谷物和谷物边界的传导主要负责 3+ 内容。作为结果,与两 La 做 3+ 和公司 3+ 在 BFO 薄电影的电的性质有益于改进。
Publication Year: 2014
Publication Date: 2014-01-01
Language: zh-cn
Type: article
Access and Citation
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