Title: Tellurium Doping and Implantation of Zinc Sulphide
Abstract: A detailed study of the effect of tellurium concentration on the cathodoluminescence spectra of chemically-doped zinc sulphide polycrystalline samples shows that emission from single tellurium isoelectronic centres is saturated before the emission from paired tellurium isoelectronic centres. At added tellurium concentrations of < 10−3 atomic parts only the single tellurium emission is present whereas at or above 5 × 10−2 atomic parts of tellurium only the paired tellurium emission is observed. At 10−2 atomic parts tellurium both tellurium emissions arc observed. No increase in tellurium emission intensity is observed when the tellurium concentration is increased above 5 × 10−2. The tellurium concentrations capable of producing both tellurium emission bands in polycrystalline samples are shown to produce the same behaviour in single crystals also. In addition, conditions for producing the paired tellurium emission by ion implantation are reported, along with thermal quenching measurements and time-resolved spectroscopy measurements and introduction of donors in ZnS: Te by implantation of Al. Einc ausführliche Untersuchung des Einflusses der Tellurkonzentration auf die Kathodolumineszenzspektren von chemisch dotierten polykristallinen Zinksulfidproben zeigt, daß die Emission von isolierten isoelektronischen Tellurzentren vor der Emission von gepaartcn isoelektronischen Tellurzentren gesattigt ist. Bei einer zugefügten Tellurkonzentration von < 10−3 Atomantcilen ist nur die isolierte Telluremission vorhanden, wlhrend bei oder obcrhalb 5 × 10−2 Atomanteilen von Tellur nur die gepaarte Telluremission beobachtet wird. Wenn die Tellurkonzentration uber 5 × 10−3 angehoben wird, wird kein Anstieg der Telluremissionsintensitat beobachtet. Es wird gezeigt, daß die Tellurkonzentrationen, die fahig sind, beide Telluremissionsbanden in polykristalinen Proben hervorzurufen, dasselbe Verhalten auch in Einkristallen zeigen. Zusätzlich werden die Bedingungen fur das Hervorrufen der gepaarten Telluremission durch Ionenimplantation mitgeteilt, zusammen mit Messungen der thermischen Tilgung und zeitaufgelöster Spektroskopie sowie der Einführung von Donatoren in ZnS: Te durch Implantation von Al.
Publication Year: 1984
Publication Date: 1984-01-16
Language: en
Type: article
Indexed In: ['crossref']
Access and Citation
Cited By Count: 12
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